薄化・バックグラインドとは？――ウェハを裏面から薄くする理由
Back Grinding、Temporary Support、薄ウェハの反り・割れ、3D実装との関係を解説する。
まず結論
Back Grindingは、完成したWaferの裏面を研削し、製品に必要な厚さまで薄くする工程です。
薄化によりPackageを薄くでき、3D積層では接続距離を短くできます。一方、薄くなるほどWaferは壊れやすくなります。
なぜ最初から薄いWaferを使わない？
前工程ではWafer自身に機械的強度が必要です。搬送、Chuck、熱処理など多数工程を通すため、最初から極薄にすると破損・反りが増えます。
そこで前工程終了後に裏面から薄くします。
Grinding
粗研削で大きく除去し、Fine GrindingでDamageを抑えます。必要に応じてPolishing、Etching等でGrinding Damageを除去します。
薄くすると起きること
- Wafer Bow / Warp
- Crack
- Edge Chipping
- Handling困難
- Backside Damage
- DeviceへのStress
Temporary TapeやCarrierで支持する場合があります。
3D/TSVとの関係
TSVを裏面から露出させる工程では高精度なThinningが重要です。厚さばらつきがVia Revealや後工程へ直結します。
次に読む
- Dicingとは？
- TSVとは？
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